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厚壁微拍福利管中奥氏体晶晶粒长大及其影响因素
时间:2020-05-31 11:49:28        点击量:【 】次

厚壁微拍福利管从小晶粒到大晶粒的演变是一个节能的过程。晶界有许多小晶粒,晶界是一个高能区。晶粒长大后,晶界的总面积减少了,系统的能量也减少了。因此,奥氏体晶粒子在高温下在微拍福利厚壁管中的生长是一个自发过程。

厚壁微拍福利管中奥氏体晶晶粒的生长基本上是一个晶界运动过程,因此影响厚壁管奥氏体晶边界运动的所有因素都会影响奥氏体晶晶粒的生长。

厚壁微拍福利的微拍福利精密管管奥氏体温度越高,晶粒的生长越明显。当晶粒长大到一定程度时,即使保温时间延长如图1-14,奥氏体晶晶粒也不会再明显长大。厚壁管中奥氏体晶粒子的大小与未来的冷却速度无关。

随着厚壁微拍福利管中碳浓度的增加,奥氏体晶晶粒长大的趋势也增加。然而,当碳含量超过一定限度时,奥氏体晶颗粒较小。例如,当微拍福利厚壁管被加热到900时,碳含量被限制在1.2%,因为随着碳含量的增加,碳和铁原子在厚壁管奥氏体中的扩散速率增加,从而加速了晶粒的生长。然而,当碳浓度超过上述含量后,未溶解的渗碳体出现,304微拍福利宅男福利视频管渗碳体会阻止晶界移动,所以高粒生长缓慢,而奥氏体实际上具有较小的晶粒

向微拍福利厚壁管中添加合金元素也会影响奥氏体晶的晶粒生长。一般认为,产生稳定碳化物的元素(如钛、钒、钽、铌、锆和钨、钼、铬)、产生不溶于奥氏体的氧化物和氮化物的元素(如铝)、促进石墨化的元素(如硅、镍、钴)以及结构自由的元素(如铜)会阻碍奥氏体晶粒子的生长。然而,锰和磷倾向于加速奥氏体晶铝的晶粒生长,铝是一种广泛用于控制目前工业生产的厚壁管中的奥氏体晶颗粒尺寸的元素。在铝脱氧的厚壁微拍福利管中,弥散分布着高熔点的AIN颗粒,阻碍了奥氏体晶边界的移动,从而使晶粒得以细化,获得了普通钢中残余铝含量为0.02 ~ 0.04%的本质细晶粒钢。

简而言之,合金元素对厚壁微拍福利管中奥氏体晶晶粒生长的影响一般可分为:

强烈阻碍晶粒成长的元素包括铝、钛、锆。五;

阻碍晶粒成长的因素包括钨钼和铬;

阻碍晶粒成长的因素包括硅、镍。铜,

促进晶粒生长的元素包括锰(指高碳)、磷和磷(指溶解在奥氏体厚壁钢管中的情况)。


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